O wafer é feito de silício puro (Si).Geralmente dividido em especificações de 6, 8 e 12 polegadas, o wafer é produzido com base neste wafer.Os wafers de silício preparados a partir de semicondutores de alta pureza por meio de processos como extração e corte de cristais são chamados de wafers porqueuse eles são redondos.Várias estruturas de elementos de circuito podem ser processadas nas pastilhas de silício para se tornarem produtos com propriedades elétricas específicas.produtos de circuitos integrados funcionais.Os wafers passam por uma série de processos de fabricação de semicondutores para formar estruturas de circuito extremamente pequenas e, em seguida, são cortados, embalados e testados em chips, que são amplamente utilizados em vários dispositivos eletrônicos.Os materiais wafer passaram por mais de 60 anos de evolução tecnológica e desenvolvimento industrial, formando uma situação industrial dominada pelo silício e complementada por novos materiais semicondutores.
80% dos telefones celulares e computadores do mundo são produzidos na China.A China depende de importações para 95% dos seus chips de alto desempenho, por isso a China gasta 220 mil milhões de dólares todos os anos para importar chips, o que representa o dobro das importações anuais de petróleo da China.Todos os equipamentos e materiais relacionados às máquinas de fotolitografia e produção de chips também são bloqueados, como wafers, metais de alta pureza, máquinas de gravação, etc.
Hoje falaremos brevemente sobre o princípio do apagamento da luz UV em máquinas de wafer.Ao gravar dados, é necessário injetar carga na porta flutuante aplicando um VPP de alta tensão na porta, conforme mostrado na figura abaixo.Como a carga injetada não tem energia para penetrar na parede de energia do filme de óxido de silício, ela só pode manter o status quo, por isso devemos dar à carga uma certa quantidade de energia!É quando a luz ultravioleta é necessária.
Quando a porta flutuante recebe irradiação ultravioleta, os elétrons na porta flutuante recebem a energia dos quanta de luz ultravioleta, e os elétrons se tornam elétrons quentes com energia para penetrar na parede de energia do filme de óxido de silício.Conforme mostrado na figura, os elétrons quentes penetram no filme de óxido de silício, fluem para o substrato e porta e retornam ao estado apagado.A operação de apagamento só pode ser realizada recebendo irradiação ultravioleta e não pode ser apagada eletronicamente.Em outras palavras, o número de bits só pode ser alterado de “1” para “0”, e na direção oposta.Não há outra maneira senão apagar todo o conteúdo do chip.
Sabemos que a energia da luz é inversamente proporcional ao comprimento de onda da luz.Para que os elétrons se tornem elétrons quentes e assim tenham energia para penetrar no filme de óxido, é muito necessária a irradiação de luz com comprimento de onda menor, ou seja, raios ultravioleta.Como o tempo de apagamento depende do número de fótons, o tempo de apagamento não pode ser reduzido mesmo em comprimentos de onda mais curtos.Geralmente, o apagamento começa quando o comprimento de onda está em torno de 4000A (400nm).Basicamente atinge a saturação em torno de 3000A.Abaixo de 3000A, mesmo que o comprimento de onda seja menor, não terá nenhum impacto no tempo de apagamento.
O padrão para eliminação de UV é geralmente aceitar raios ultravioleta com um comprimento de onda preciso de 253,7 nm e uma intensidade de ≥16.000 μ W/cm².A operação de apagamento pode ser concluída com um tempo de exposição que varia de 30 minutos a 3 horas.
Horário da postagem: 22 de dezembro de 2023